Samsung 870 EVO SSD verschlüsselt 2 TB intern 2.5" 6.4 cm SATA 6Gb/s Puffer: 2 GB 256-Bit-AES TCG Opal Encryption (MZ-77E2T0B/EU)
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Samsung 870 EVO SSD verschlüsselt 2 TB intern 2.5" 6.4 cm SATA 6Gb/s Puffer: 2 GB 256-Bit-AES TCG Opal Encryption
Produktbeschreibung:
Die Samsung 870 EVO kombiniert die bewährte SSD-Technologie von Samsung mit fortschrittlichen Features. Sie zeichnet sich durch verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und Kompatibilität aus. So eignet sie sich für unterschiedliche Anwenderprofile und erfüllt die Anforderungen von Kreativen und Content-Produzenten über IT-Profis bis hin zu alltäglichen Nutzern gleichermaßen.
Technische Details:
Allgemein
Gerätetyp
Solid-State-Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Leistung
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
13000 IOPS
4 KB Random Write
36000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
98000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6,4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
5 Watt (Durchschnitt) ¦ 4.5 Watt (Maximum)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
WWN, IEEE 1667
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 years / 1200 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
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Technische Daten
Produktbeschreibung: | Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B - Solid-State-Drive - 2 TB - SATA 6Gb/s | Typ: | Solid-State-Drive - intern | Kapazität: | 2 TB | Hardwareverschlüsselung: | Ja | Verschlüsselungsalgorithmus: | 256-Bit-AES | NAND-Flash-Speichertyp: | 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) | Formfaktor: | 2.5" (6,4 cm) | Schnittstelle: | SATA 6Gb/s | Datenübertragungsrate: | 600 MBps | Puffergrösse: | 2 GB | Merkmale: | TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 | Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): | 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm | Gewicht: | 45 g |
Dieses Produkt haben wir am Sonntag, 24. Januar 2021 in unseren Katalog aufgenommen.
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Herstellerinformation
Weitere Informationen zu Garantiearten finden sie per Link oder direkt bei uns. Die angegebenen Herstellergarantien gelten innerhalb Österreichs. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unseren unten folgenden Herstellerinformationen. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt. Samsung
Samsung Electronics GmbH
Samsung House
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach / Ts.
Deutschland
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Hotline für Mobilgeräte: 06196 77 555 66
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