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Samsung 870 QVO SSD 8 TB SATA3 2,5" intern (MZ-77Q8T0BW)

Samsung
Samsung 870 QVO SSD 8 TB SATA3 2,5" intern
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Artikel-Nr.: 
998941246
Hersteller-Nr.: 
MZ-77Q8T0BW
GTIN:  8806090396014

Das Wichtigste im Überblick:

Produktinformationen ↓ Technische Daten ↓ Support ↓ Kundenbewertungen ↓

Samsung 870 QVO SSD 8 TB SATA3 2,5" intern

Produktbeschreibung:

Die Samsung 870 QVO, eine QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation, ist ein passendes Upgrade für alle Anwender, die ihren Laptop oder Desktoprechner für den alltäglichen Einsatz mit enorm viel Speicherplatz ausstatten möchten - ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.

Technische Details:

Allgemein
Gerätetyp
Solid-State-Drive - intern
Kapazität
8 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Quad-Level Cell (QLC)
Formfaktor
2.5" (6,4 cm)
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Puffergröße
8 GB
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite
69.85 mm
Tiefe
100 mm
Höhe
6.8 mm
Gewicht
57 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
11000 IOPS
4 KB Random Write
35000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
98000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6,4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
3.3 Watt (Durchschnitt) ¦ 5.5 Watt (Maximum) ¦ 0.045 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms

Technische Daten

Produktbeschreibung:Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - Solid-State-Drive - 8 TB - SATA 6Gb/s
Typ:Solid-State-Drive - intern
Kapazität:8 TB
Hardwareverschlüsselung:Ja
Verschlüsselungsalgorithmus:256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp:Quad-Level Cell (QLC)
Formfaktor:2.5" (6,4 cm)
Schnittstelle:SATA 6Gb/s
Puffergrösse:8 GB
Merkmale:TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe):69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Gewicht:57 g

Dieses Produkt haben wir am Sonntag, 28. Juni 2020 in unseren Katalog aufgenommen.

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Herstellerinformation

Weitere Informationen zu Garantiearten finden sie per Link oder direkt bei uns. Die angegebenen Herstellergarantien gelten innerhalb Österreichs. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unseren unten folgenden Herstellerinformationen. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt.

Samsung

Samsung Electronics GmbH
Samsung House
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach / Ts.
Deutschland

Hotline für alle Produkte:  06196 77 555 77

Hotline für Mobilgeräte: 06196 77 555 66 


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