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Samsung 9100 PRO SSD NVMe M.2 1 TB PCIe 5.0 14.700 MB/s Lesen 13.300 Schreiben Interne (MZ-VAP1T0BW)

Samsung
Samsung 9100 PRO SSD NVMe M.2 1 TB PCIe 5.0 14.700 MB/s Lesen 13.300 Schreiben Interne
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Artikel-Nr.: 
999963182
Hersteller-Nr.: 
MZ-VAP1T0BW
GTIN:  8806095811628

Das Wichtigste im Überblick:

Produktinformationen ↓ Technische Daten ↓ Support ↓ Kundenbewertungen ↓

Samsung 9100 PRO SSD NVMe M.2 1 TB PCIe 5.0 14.700 MB/s Lesen 13.300 Schreiben Interne

Produktbeschreibung:

Hohe Kapazität: 1 TB - 2 TB - 4 TB und 8 TBLeistungsstarke
NVMe SSD der 5.
PCI Express-Generation für anspruchsvolle 4K Video-
und 3D-Grafikbearbeitung sowie AI-PCs.Atemberaubende
Geschwindigkeit: Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis 14.800 /
13.300 MB/s.Hohe Zuverlässigkeit dank Heat Spreader
und Dynamic Thermal Guard-Technologie zum Schutz
vor Überhitzung sowie bis zu 600 TB Total Bytes
WrittenSpeicherkapazität von bis zu 4 TB im kompakten
M.2-Formfaktor (2280) - passend für leistungsstarke
PCs und Ultrabooks.Die kostenlose Samsung Magician-Software
optimiert für Sie die Leistungsfähigkeit und hält
das Laufwerk mit Updates immer auf dem neuesten
Stand.Zuverlässig: 5 Jahre eingeschränkte HerstellergarantieNext-Level-Geschwindigkeit
mit PCIe® 5.0Pushe die PCIe® 5.0-Leistung bis zum Maximum.
Die 9100 PRO erreicht schnelle sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten
von bis zu 14.800/13.400 MB/s - doppelt so schnell
wie die 990 PRO.
Lass die Grenzen der Gen4 hinter dir mit zufälligen
Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200K/2.600K
IOPS - die nur mit Gen5 möglich sind.Mehr Leistung
- weniger Wartezeit – auch bei parallelen ProzessenVerschiebe
die Grenzen deiner Produktivität.
Atemberaubende zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten
ermöglichen die schnelle parallele Verarbeitung
unzähliger fragmentierter Daten – mit bis zu 2.200K/2.600K IOPS.
Erlebe Output und sofortige Ladezeiten – für riesige
Spiele - leistungsintensive Aufgaben und auch
AI-Applikationen.Mit PCIe 5.0 top aufgestellt
für AIIntelligenz definiert Performance.
Möglichkeiten für Arbeit und Freizeit – mit einem
integrierten AI-PC und AI-Inhaltsgenerierung.
Angetrieben von den atemberaubenden zufälligen
Lese-/Schreibgeschwindigkeiten der 9100 PRO von
bis zu 2.200K/2.600K IOPS.
Schnelle Ladezeiten - flüssiges Gameplay - nahtlose
Performance.Rundum beeindruckendMeistere Videobearbeitung
- 3D-Design und sogar lange Streaming-Sessions
mühelos – dank der PCIe® 5.0-Schnittstellen.
Erlebe moderne Performance.

Technische Details:

Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, kompatibel mit PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
SSD-Leistung
600 TB
Interner Datendurchsatz
14700 MBps (lesen)/ 13300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
2600000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1850000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
7.6 Watt (Lesen)
7.2 Watt (Schreiben)
4 Watt (Leerlauf)
3.3 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667
Farbe
Schwarz
Verpackungsdetails
Box
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 600 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz

Technische Daten

Produktbeschreibung:Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 - SSD - 1 TB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ:Solid State Drive - intern
Kapazität:1 TB
Hardwareverschlüsselung:Ja
Verschlüsselungsalgorithmus:256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp:TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor:M.2 2280
Schnittstelle:PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale:TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, kompatibel mit PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Farbe:Schwarz
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe):22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Gewicht:9 g

Dieses Produkt haben wir am Sonntag, 02. März 2025 in unseren Katalog aufgenommen.

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Herstellerinformation

Weitere Informationen zu Garantiearten finden sie per Link oder direkt bei uns. Die angegebenen Herstellergarantien gelten innerhalb Österreichs. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unseren unten folgenden Herstellerinformationen. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt.

Samsung

Samsung Electronics GmbH
Samsung House
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach / Ts.
Deutschland

Hotline für alle Produkte:  06196 77 555 77

Hotline für Mobilgeräte: 06196 77 555 66 


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