Samsung MZ-V9P1T0 1000 GB M.2 7450 MB/s Solid State Disk (MZ-V9P1T0GW)

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Samsung MZ-V9P1T0 1000 GB M.2 7450 MB/s Solid State Disk Produktbeschreibung: Samsung MZ-V9P1T0. SSD Speicherkapazität 1000 GB, SSD-Formfaktor M.2, Lesegeschwindigkeit 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit 6900 MB/s, Komponente für PC Merkmale SSD-Formfaktor M.2 SSD Speicherkapazität 1000 GB Verpackung: Retail Technische Details: Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Integrierter Kühlkörper Ja Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 Breite 24.3 mm Tiefe 80 mm Höhe 8.2 mm Gewicht 28 g Leistung Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1550000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1200000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.4 Watt (Lesen) ¦ 5 Watt (Schreiben) ¦ 50 mW (Leerlauf) ¦ 5 mW (L1.2-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Verpackungsdetails Box Herstellergarantie Service und Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 600 TBW Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Sony PlayStation 5

Technische Daten

Produktbeschreibung:	Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ:	Solid State Drive - intern
Kapazit?t:	1 TB
Integrierter K?hlk?rper:	Ja
Hardwareverschl?sselung:	Ja
Verschl?sselungsalgorithmus:	256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp:	Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor:	M.2 2280
Schnittstelle:	PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale:	1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x H?he):	24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Gewicht:	28 g

Dieses Produkt haben wir am Montag, 17. Juli 2023 in unseren Katalog aufgenommen.

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